IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPL60R199CPAUMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.60 |
10+ | $4.129 |
100+ | $3.3829 |
500+ | $2.8798 |
1000+ | $2.4287 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-VSON-4 |
Serie | CoolMOS™ CP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 139W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 4-PowerTSFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16.4A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPL60R |
IPL60R199CPAUMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPL60R199CPAUMA1 PDF - EN.pdf |
IPL60R255P6 INFINEON
IPL60R210P6 INFINEON
MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
INFINEON PG-VSON-4
INFINEON PG-VSON-4
MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
INFINEON VSON-4
INFINEON PG-VSON-4
INFINEON PG-VSON-4
INFINEON QFN
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
INFINEON VSON4
IPL60R199CP Infineon Technologies
INFINEON QFN
MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
2024/06/27
2024/04/4
2023/12/20
2024/06/5
IPL60R199CPAUMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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